檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "Wei-Kuo Chen".ecommittee (精準) and year="110"
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氮化鎵具備優異的電性表現已成為第三代寬能隙半導體熱門材料,由AlGaN/GaN異質結構形成之高電子遷移率電晶體已廣泛運用在手機快充與電動車電控系統。本實驗將針對氮化鎵成長在藍寶石基板上,面臨的兩大瓶…
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圖案化藍寶石基板(patterned sapphire substrate, PSS)具有降低氮化鎵磊晶薄膜貫穿型差排缺陷密度之效用,然而無圖案區域差排缺陷密度仍高。本研究在圖案化藍寶石基板上嵌入石…